IRFB4215PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFB4215PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 54A, 10V |
Verlustleistung (max) | 270W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4080 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 115A (Tc) |
IRFB4215PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB4215PBF PDF - EN.pdf |
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2024/04/13
2024/11/5
2024/09/19
2024/05/15
IRFB4215PBFInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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